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氧化鎵(Ga2O3)將作為一種高性能、高可靠性的半導(dǎo)體材料可能會(huì)取代硅(Si)和其他半導(dǎo)體材料，以實(shí)現(xiàn)低功耗電子電路的設(shè)計(jì)。它將有助于小型化電子器件，以滿足人們?nèi)找嬖鲩L(zhǎng)的對(duì)小型電子產(chǎn)品和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求。在未來(lái)，隨著傳感器、濾波器、電路設(shè)計(jì)和可視圖像成像技術(shù)的發(fā)展，…
氧化鎵屬于“第四代半導(dǎo)體”材料，具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。氧化鎵的耐高壓特性在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要，在全球科研與產(chǎn)業(yè)界引起了更廣泛的重視。 氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。常見(jiàn)的有α、β，其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最…
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